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NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G

onsemi

MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN

compliant

NTMFS4C09NT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $0.25320 -
3,000 $0.23086 -
7,500 $0.21596 -
10,500 $0.20107 -
37,500 $0.19064 -
942 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.9 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1252 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / étui 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Numéro de pièce associé

IAUC100N10S5L040ATMA1
FQA160N08
FQA160N08
$0 $/morceau
IRFR4105ZTRPBF
SI3456DDV-T1-GE3
IRFR9120TRLPBF-BE3
STD15NF10T4
STD15NF10T4
$0 $/morceau
RF1K4915796

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