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NTMFS6H864NLT1G

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NTMFS6H864NLT1G

onsemi

MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN

non conforme

NTMFS6H864NLT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.41325 $0.41325
500 $0.4091175 $204.55875
1000 $0.404985 $404.985
1500 $0.4008525 $601.27875
2000 $0.39672 $793.44
2500 $0.3925875 $981.46875
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Ta), 22A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 29mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 20µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 431 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / étui 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Numéro de pièce associé

NVD5C454NLT4G
NVD5C454NLT4G
$0 $/morceau
IPT020N10N3ATMA1
BSS84K-TP
BSS84K-TP
$0 $/morceau
IRF6712STRPBF
FDBL86366-F085
FDBL86366-F085
$0 $/morceau
RV8C010UNHZGG2CR
PSMN4R0-25YLC,115
PSMN4R1-30YLC,115
PJQ5443_R2_00001

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