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NTMS3P03R2G

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC

compliant

NTMS3P03R2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.28645 -
67544 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.34A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 750 pF @ 24 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 730mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

R8005ANX
R8005ANX
$0 $/morceau
SCT3080ALHRC11
FDJ127P
FDJ127P
$0 $/morceau
PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
$0 $/morceau
NTD15N06L-1G
NTD15N06L-1G
$0 $/morceau
APT1003RSFLLG
IXFN32N120P
IXFN32N120P
$0 $/morceau
IPU50R1K4CEAKMA1
IXFR26N100P
IXFR26N100P
$0 $/morceau
SQ3456BEV-T1_GE3

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