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NTMT125N65S3H

NTMT125N65S3H

NTMT125N65S3H

onsemi

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

compliant

NTMT125N65S3H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.99000 $3.99
500 $3.9501 $1975.05
1000 $3.9102 $3910.2
1500 $3.8703 $5805.45
2000 $3.8304 $7660.8
2500 $3.7905 $9476.25
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 2.1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2200 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 171W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 4-TDFN (8x8)
paquet / étui 4-PowerTSFN
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Numéro de pièce associé

IPB320P10LMATMA1
FCP165N65S3R0
IXFT50N60P3-TRL
IXFT50N60P3-TRL
$0 $/morceau
SQ3493EV-T1_GE3
NTLJS053N12MCLTAG
NTLJS053N12MCLTAG
$0 $/morceau
DMTH8008SFGQ-13
DMTH8008LPS-13
IAUC40N08S5L140ATMA1
APTM120DA30T1G

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