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NTR4170NT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V SOT23-3

non conforme

NTR4170NT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.11487 -
6,000 $0.10824 -
15,000 $0.10161 -
30,000 $0.09365 -
75,000 $0.09033 -
38808 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.76 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 432 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 480mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

BSP296NH6327XTSA1
IXTH130N10T
IXTH130N10T
$0 $/morceau
FQB19N10LTM
STW15N80K5
STW15N80K5
$0 $/morceau
RU1E002SPTCL
RU1E002SPTCL
$0 $/morceau
IRFS4610TRLPBF
FDD86369
FDD86369
$0 $/morceau
PMN48XPAX
PMN48XPAX
$0 $/morceau
CSD19532Q5B
CSD19532Q5B
$0 $/morceau
BSC010N04LSIATMA1

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