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NTTFS5811NLTWG

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN

non conforme

NTTFS5811NLTWG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 17A (Ta), 53A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1570 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

BUZ31 E3046
IRLZ24NSTRR
NX7002BKM315
NX7002BKM315
$0 $/morceau
IXTA110N055T7
IXTA110N055T7
$0 $/morceau
2V7002LT3G
2V7002LT3G
$0 $/morceau
SUM40N02-12P-E3
IRFZ40
IRFZ40
$0 $/morceau
IPD05N03LB G

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