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NTTFS6H860NLTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

SOT-23

non conforme

NTTFS6H860NLTAG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.26423 $0.26423
500 $0.2615877 $130.79385
1000 $0.2589454 $258.9454
1500 $0.2563031 $384.45465
2000 $0.2536608 $507.3216
2500 $0.2510185 $627.54625
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.1A (Ta), 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 30µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 610 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.1W (Ta), 42W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

NDF06N60ZH
NDF06N60ZH
$0 $/morceau
IPD65R380C6ATMA1
FDS8874
FDS8874
$0 $/morceau
STB55NF06LT4
STB55NF06LT4
$0 $/morceau
AUIRFS4127TRL
IRLML9301TRPBF
CSD18513Q5A
CSD18513Q5A
$0 $/morceau
IPW60R105CFD7XKSA1
SI3493BDV-T1-E3

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