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NVD4815NT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK-3

compliant

NVD4815NT4G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.9A (Ta), 35A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 11.5V
rds activé (max) à id, vgs 15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 770 pF @ 12 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DPAK-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IXTH40N30
IXTH40N30
$0 $/morceau
BSS169L6327HTSA1
IRF540Z
IRF540Z
$0 $/morceau
SPP04N60C3HKSA1
IRL3714STR
AO4409
STP120NH03L
STP120NH03L
$0 $/morceau
IRFBC40ASTRR
IRFBC40ASTRR
$0 $/morceau
2N7002T-7-F-79
NTB35N15T4
NTB35N15T4
$0 $/morceau

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