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NVF6P02T3G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

compliant

NVF6P02T3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,000 $0.46585 -
8,000 $0.44256 -
12,000 $0.42592 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1200 pF @ 16 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 8.3W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-223 (TO-261)
paquet / étui TO-261-4, TO-261AA
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Numéro de pièce associé

SIHB23N60E-GE3
SIHB23N60E-GE3
$0 $/morceau
SI4408DY-T1-E3
SI4408DY-T1-E3
$0 $/morceau
DMP3068L-7
DMP3068L-7
$0 $/morceau
SI2343CDS-T1-BE3
TN0604N3-G-P005
NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1
$0 $/morceau
PMPB16R5XNEX
PMPB16R5XNEX
$0 $/morceau
ZXMN2AM832TA
RUM002N05T2L
RUM002N05T2L
$0 $/morceau
SPB100N06S2-05

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