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NVMD6N03R2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

non conforme

NVMD6N03R2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
4915 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A
rds activé (max) à id, vgs 32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 950pF @ 24V
puissance - max 1.29W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

2N7002KDW-TP
DF23MR12W1M1PB11BPSA1
SP8M10FRATB
SP8M10FRATB
$0 $/morceau
AUIRF7342QTR
MSCSM120HM50CT3AG
NTMFD5C674NLT1G
NTMFD5C674NLT1G
$0 $/morceau
DMN2400UV-7
DMN2400UV-7
$0 $/morceau
SH8M2TB1
SH8M2TB1
$0 $/morceau
SI1902DL-T1-E3
SI1902DL-T1-E3
$0 $/morceau
DMC6070LND-7

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