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NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

onsemi

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

non conforme

NVMFD5C650NLT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $1.13564 -
3,000 $1.05732 -
7,500 $1.01816 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Ta), 111A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 98µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2546pF @ 25V
puissance - max 3.5W (Ta), 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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Numéro de pièce associé

2N7002DWAQ-7
IRF7341TRPBF
AO4818B
DMP3164LVT-13
FDY4000CZ
FDY4000CZ
$0 $/morceau
2N7002PS,115
2N7002PS,115
$0 $/morceau
FDMA1028NZ
FDMA1028NZ
$0 $/morceau
RFIS40N10LE
RFIS40N10LE
$0 $/morceau
FS50UM-3

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