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NVMTS1D2N08H

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NVMTS1D2N08H

onsemi

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

non conforme

NVMTS1D2N08H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.41000 $6.41
500 $6.3459 $3172.95
1000 $6.2818 $6281.8
1500 $6.2177 $9326.55
2000 $6.1536 $12307.2
2500 $6.0895 $15223.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 43.5A (Ta), 337A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 590µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10100 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Ta), 300W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFNW (8.3x8.4)
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

IPI65R380C6XKSA1
STB21NM60ND
STB21NM60ND
$0 $/morceau
FDPF12N50T
FDPF12N50T
$0 $/morceau
STN3N45K3
STN3N45K3
$0 $/morceau
IPD50N04S309ATMA1
FQU1N60CTU
FQU1N60CTU
$0 $/morceau
IXTX20N150
IXTX20N150
$0 $/morceau
STP15NK50Z
STP15NK50Z
$0 $/morceau
NTD23N03R-1G
NTD23N03R-1G
$0 $/morceau

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