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NVMYS2D2N06CLTWG

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NVMYS2D2N06CLTWG

onsemi

MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4

compliant

NVMYS2D2N06CLTWG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.85508 $1.85508
500 $1.8365292 $918.2646
1000 $1.8179784 $1817.9784
1500 $1.7994276 $2699.1414
2000 $1.7808768 $3561.7536
2500 $1.762326 $4405.815
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 31A (Ta), 185A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 180µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4850 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.9W (Ta), 134W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur LFPAK4 (5x6)
paquet / étui SOT-1023, 4-LFPAK
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Numéro de pièce associé

FQP20N06L
FQP20N06L
$0 $/morceau
IPB014N06NATMA1
PJC7439_R1_00001
STFW38N65M5
STFW38N65M5
$0 $/morceau
STL105N4LF7AG
FQD5P20TM
FQD5P20TM
$0 $/morceau
IPDH4N03LAG
APT58M50JU3
IPI65R420CFD

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