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RFD16N06LESM9A

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RFD16N06LESM9A

onsemi

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA

non conforme

RFD16N06LESM9A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.67678 -
5,000 $0.64481 -
12,500 $0.62197 -
328 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V
rds activé (max) à id, vgs 47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) +10V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1350 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 90W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

STF14N80K5
STF14N80K5
$0 $/morceau
STP60NF06FP
STP60NF06FP
$0 $/morceau
SI7108DN-T1-E3
SI7108DN-T1-E3
$0 $/morceau
DMP2104V-7
DMP2104V-7
$0 $/morceau
IRFP460APBF
IRFP460APBF
$0 $/morceau
DMN62D0UW-7
DMN62D0UW-7
$0 $/morceau
IPP65R110CFD7XKSA1
2N7002T-TP
2N7002T-TP
$0 $/morceau
AUIRLR3636TRL
AO4296

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