Welcome to ichome.com!
| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 500 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4V, 10V |
| rds activé (max) à id, vgs | 4.9Ohm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | - |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 175 pF @ 30 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 1W (Ta), 20W (Tc) |
| température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| package d'appareils du fournisseur | IPAK/TP |
| paquet / étui | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.