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MTM761100LBF

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MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

non conforme

MTM761100LBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.15299 -
6,000 $0.14312 -
15,000 $0.13818 -
1526 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4V
rds activé (max) à id, vgs 42mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (max) à id 1V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1200 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 700mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur WSMini6-F1-B
paquet / étui 6-SMD, Flat Leads
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Numéro de pièce associé

2SK3702
2SK3702
$0 $/morceau
RM47N650T7
RM47N650T7
$0 $/morceau
IAUA210N10S5N024AUMA1
IAUT260N10S5N019ATMA1
APT20M34SLLG/TR
BSC150N03LD
IXFH70N65X3
IXFH70N65X3
$0 $/morceau
SIHD7N60E-E3
SIHD7N60E-E3
$0 $/morceau
ZXMN3A01FQTA

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