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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| courant - collecteur (ic) (max) | 500 mA |
| tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 50 V |
| résistance - base (r1) | 2.2 kOhms |
| résistance - base émettrice (r2) | 2.2 kOhms |
| gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 40 @ 100mA, 10V |
| saturation vce (max) à ib, ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
| courant - coupure du collecteur (max) | 1µA |
| fréquence - transition | 200 MHz |
| puissance - max | 300 mW |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | 3-SIP |
| package d'appareils du fournisseur | NS-B1 |
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