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PCDD0865G1_L2_00001

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650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

non conforme

PCDD0865G1_L2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.80000 $3.8
500 $3.762 $1881
1000 $3.724 $3724
1500 $3.686 $5529
2000 $3.648 $7296
2500 $3.61 $9025
2997 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 8A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 8 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 60 µA @ 650 V
capacité à vr, f 296pF @ 1V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

NTE634
NTE634
$0 $/morceau
MBR340_AY_00001
CDBU0530
CDBU0530
$0 $/morceau
NSVRB751S40T5G
NSVRB751S40T5G
$0 $/morceau
1N4148W-HF
1N4148W-HF
$0 $/morceau
NTE579
NTE579
$0 $/morceau
JAN1N3595-1

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