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PJC7410_R1_00001

PJC7410_R1_00001

PJC7410_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJC7410_R1_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
2878 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 500mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.2V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 400mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 900mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 67 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

PJP4NA65_T0_00001
IXTA20N65X2
IXTA20N65X2
$0 $/morceau
IRFP3710PBF
STD9NM60N
STD9NM60N
$0 $/morceau
MMSF4N01HDR2
MMSF4N01HDR2
$0 $/morceau
IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF
$0 $/morceau
IRFS3307ZTRLPBF
SIR104DP-T1-RE3
SPP04N80C3XKSA1

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