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PJC7412_R1_00001

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PJC7412_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJC7412_R1_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 500mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.87 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 34 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

MMSF7P03HDR2G
MMSF7P03HDR2G
$0 $/morceau
DMN3052LSS-13
NTHS5443T1G
NTHS5443T1G
$0 $/morceau
MCH3474-TL-H
MCH3474-TL-H
$0 $/morceau
IPI65R110CFDXKSA1
MSC035SMA170S
SIE802DF-T1-GE3
PHP191NQ06LT,127
SI7145DP-T1-GE3

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