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PJC7476_R1_00001

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PJC7476_R1_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

compliant

PJC7476_R1_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 300mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 45 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-323
paquet / étui SC-70, SOT-323
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Numéro de pièce associé

ZVN3320ASTOA
SI4890DY-T1-E3
SI4890DY-T1-E3
$0 $/morceau
SIR440DP-T1-GE3
FDY102PZ
FDY102PZ
$0 $/morceau
IMW120R140M1HXKSA1
A2N7002HW-HF
A2N7002HW-HF
$0 $/morceau
RTR025P02HZGTL
NVMFS5C442NAFT1G
NVMFS5C442NAFT1G
$0 $/morceau

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