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PJD14P06A-AU_L2_000A1

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PJD14P06A-AU_L2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJD14P06A-AU_L2_000A1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.2A (Ta), 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 785 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 40W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

AO4453
DMG3406L-7
DMG3406L-7
$0 $/morceau
IRFP250PBF
IRFP250PBF
$0 $/morceau
SI5459DU-T1-GE3
NTK3134NT5H
NTK3134NT5H
$0 $/morceau
FQPF5P10
IPB35N10S3L26ATMA1
IRFP260MPBF
NVMFS5C410NAFT1G
NVMFS5C410NAFT1G
$0 $/morceau
STD35NF3LLT4
STD35NF3LLT4
$0 $/morceau

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