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PJD25N06A_L2_00001

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PJD25N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJD25N06A_L2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
1995 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.5A (Ta), 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 34mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1173 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 40W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

PSMN1R1-30EL,127
DI035N10PT
DI035N10PT
$0 $/morceau
STB35N65M5
STB35N65M5
$0 $/morceau
IXFH50N85X
IXFH50N85X
$0 $/morceau
NTE2393
NTE2393
$0 $/morceau
FDS8672S
FDS8672S
$0 $/morceau
IXFN220N20X3
IXFN220N20X3
$0 $/morceau
SPA20N65C3XK
ES6U3T2CR
ES6U3T2CR
$0 $/morceau

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