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PJD4NA70_L2_00001

PJD4NA70_L2_00001

PJD4NA70_L2_00001

700V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJD4NA70_L2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 700 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.8Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 514 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 77W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

NTR4003NT3G
NTR4003NT3G
$0 $/morceau
IXFH150N30X3
IXFH150N30X3
$0 $/morceau
IPD80R1K2P7ATMA1
NTD5C648NLT4G
NTD5C648NLT4G
$0 $/morceau
IXTH30N50L2
IXTH30N50L2
$0 $/morceau
FQB14N30TM
RS1E170GNTB
RS1E170GNTB
$0 $/morceau
SISA40DN-T1-GE3
IPP65R041CFD7XKSA1

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