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PJF2NA90_T0_00001

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PJF2NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJF2NA90_T0_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.24000 $1.24
500 $1.2276 $613.8
1000 $1.2152 $1215.2
1500 $1.2028 $1804.2
2000 $1.1904 $2380.8
2500 $1.178 $2945
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 396 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur ITO-220AB
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IRFS4510TRLPBF
SQJA38EP-T1_GE3
RSQ015N06HZGTR
SFP9530
SFP9530
$0 $/morceau
STQ2LN60K3-AP
NTHL033N65S3HF
NTHL033N65S3HF
$0 $/morceau
IXTK82N25P
IXTK82N25P
$0 $/morceau
NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G
$0 $/morceau
IPP034N08N5AKSA1

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