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PJQ4414P_R2_00001

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PJQ4414P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

SOT-23

non conforme

PJQ4414P_R2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
5000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Ta), 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 392 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 21W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DFN3333-8
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

PXN012-60QLJ
PXN012-60QLJ
$0 $/morceau
SP000629364
AOB11S60L
R6006KND3TL1
R6006KND3TL1
$0 $/morceau
FCP170N60
IRFH5250TRPBF
NVMFS5C460NT1G
NVMFS5C460NT1G
$0 $/morceau
FDN361BN
FDN361BN
$0 $/morceau

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