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PJQ4442P-AU_R2_000A1

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PJQ4442P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4442P-AU_R2_000A1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.7A (Ta), 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1759 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.4W (Ta), 53.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DFN3333-8
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

IRFH8330TRPBF
IXFX180N15P
IXFX180N15P
$0 $/morceau
NVHL110N65S3F
NVHL110N65S3F
$0 $/morceau
BSC080N03MSGATMA1
PMV45EN2R
PMV45EN2R
$0 $/morceau
PMZB380XN,315
PMZB380XN,315
$0 $/morceau
PMN23UN,135
PMN23UN,135
$0 $/morceau
AON6276
HUF75345G3
HUF75345G3
$0 $/morceau
SIR5708DP-T1-RE3

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