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PJS6412_S1_00001

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PJS6412_S1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJS6412_S1_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 392 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-6
paquet / étui SOT-23-6
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Numéro de pièce associé

IRFSL3006PBF
FQA55N25
FQA55N25
$0 $/morceau
DMN3020UTS-13
SI1443EDH-T1-GE3
BSS316NH6327XTSA1
BUK6213-30A,118
BUK6213-30A,118
$0 $/morceau
IPB65R225C7ATMA2
SIHF12N50C-E3
SIHF12N50C-E3
$0 $/morceau
NTD23N03RT4G
NTD23N03RT4G
$0 $/morceau
NTR4502PT1G
NTR4502PT1G
$0 $/morceau

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