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PJS6421-AU_S1_000A1

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PJS6421-AU_S1_000A1

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJS6421-AU_S1_000A1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
1820 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1620 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-6
paquet / étui SOT-23-6
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Numéro de pièce associé

BUZ73AHXKSA1
TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
$0 $/morceau
SPA07N60C3XKSA1
IXFP4N100P
IXFP4N100P
$0 $/morceau
IMZ120R350M1HXKSA1
VN2460N3-G-P003
IPL65R099C7AUMA1
IPLK80R1K4P7ATMA1
FDPF7N50U

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