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P3M06300K3

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SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3

compliant

P3M06300K3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.98000 $4.98
500 $4.9302 $2465.1
1000 $4.8804 $4880.4
1500 $4.8306 $7245.9
2000 $4.7808 $9561.6
2500 $4.731 $11827.5
1 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 500mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 5mA (Typ)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 904 nC @ 15 V
vgs (max) +20V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 338 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 38W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-3L
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

BSO083N03MSGXUMA1
SQJ872EP-T1_GE3
BUK761R7-40E,118
IRFB7787PBF
STB10N65K3
STB10N65K3
$0 $/morceau
IXFR44N50Q3
IXFR44N50Q3
$0 $/morceau
DMN3404L-7
DMN3404L-7
$0 $/morceau
IRFH7110TRPBF
SQJ142ELP-T1_GE3

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