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P3M12017K4

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SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4

compliant

P3M12017K4 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $39.75000 $39.75
500 $39.3525 $19676.25
1000 $38.955 $38955
1500 $38.5575 $57836.25
2000 $38.16 $76320
2500 $37.7625 $94406.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 151A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 24mOhm @ 75A, 15V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 75mA (Typ)
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) +25V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 789W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-4L
paquet / étui TO-247-4
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Numéro de pièce associé

AOTF7N65
PSMN8R5-100ESQ
HUF76129D3ST
FDR844P
FDR844P
$0 $/morceau
IXFK32N80P
IXFK32N80P
$0 $/morceau
BUK9Y7R2-60E,115
GPI65015TO
GPI65015TO
$0 $/morceau

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