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RM15N650TI

RM15N650TI

RM15N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220F

compliant

RM15N650TI Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 260mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1360 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 33.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

RXH070N03TB1
RXH070N03TB1
$0 $/morceau
STP140N8F7
STP140N8F7
$0 $/morceau
TN0106N3-G-P003
NDD60N360U1-1G
NDD60N360U1-1G
$0 $/morceau
FCMT360N65S3
FCMT360N65S3
$0 $/morceau
DMN63D1L-13
DMN63D1L-13
$0 $/morceau
IPU60R2K0C6BKMA1
BFL4007
BFL4007
$0 $/morceau
IPP028N08N3GXKSA1
IRF250P224

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