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RM170N30DF

RM170N30DF

RM170N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN

compliant

RM170N30DF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.69000 $0.69
500 $0.6831 $341.55
1000 $0.6762 $676.2
1500 $0.6693 $1003.95
2000 $0.6624 $1324.8
2500 $0.6555 $1638.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 170A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.65mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7300 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 75W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

APT8052BLLG
IXTA12N65X2
IXTA12N65X2
$0 $/morceau
IPU80R1K0CEAKMA1
IRF9630
IRF9630
$0 $/morceau
RS1E130GNTB
RS1E130GNTB
$0 $/morceau
PJP6NA90_T0_00001
AO3422
SISS67DN-T1-GE3
STB28N60M2
STB28N60M2
$0 $/morceau

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