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RM27P30LD

RM27P30LD

RM27P30LD

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252-2

RM27P30LD Fiche de données

compliant

RM27P30LD Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.15000 $0.15
500 $0.1485 $74.25
1000 $0.147 $147
1500 $0.1455 $218.25
2000 $0.144 $288
2500 $0.1425 $356.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 27A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 930 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 31.3W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252-2
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

NDB6030L
PSMN3R3-40YS,115
FDMS86520
FDMS86520
$0 $/morceau
IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF
$0 $/morceau
SIR178DP-T1-RE3
IRL640STRRPBF
IRL640STRRPBF
$0 $/morceau
PMV250EPEAR
PMV250EPEAR
$0 $/morceau
IPA65R110CFDXKSA1
IRF7739L1TRPBF

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