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RM3139K

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Rectron USA

MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723

RM3139K Fiche de données

compliant

RM3139K Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.03600 $0.036
500 $0.03564 $17.82
1000 $0.03528 $35.28
1500 $0.03492 $52.38
2000 $0.03456 $69.12
2500 $0.0342 $85.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 660mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 520mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 170 pF @ 16 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150mW (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-723
paquet / étui SOT-723
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Numéro de pièce associé

FDP86363-F085
FDP86363-F085
$0 $/morceau
NVMFS5C442NLAFT1G
NVMFS5C442NLAFT1G
$0 $/morceau
AOTF4N60L
R6515KNX3C16
R6515KNX3C16
$0 $/morceau
STP120N4F6
STP120N4F6
$0 $/morceau
DMP2004K-7
DMP2004K-7
$0 $/morceau
DMP3026SFDF-13
NTMFS6H848NLT1G
NTMFS6H848NLT1G
$0 $/morceau
RQ6A045ZPTR
RQ6A045ZPTR
$0 $/morceau
IPI086N10N3GXKSA1

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