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RM50N60LD

RM50N60LD

RM50N60LD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO252-2

RM50N60LD Fiche de données

compliant

RM50N60LD Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2050 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 85W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252-2
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IPW65R080CFDFKSA2
CSD17313Q2
CSD17313Q2
$0 $/morceau
IAUC100N04S6L014ATMA1
BSC090N03LSGATMA1
2N7002KT1G
2N7002KT1G
$0 $/morceau
FDMC86248
FDMC86248
$0 $/morceau
RM1216
RM1216
$0 $/morceau
ZXMN3B01FTA
ZXMN3B01FTA
$0 $/morceau
FCPF220N80
FCPF220N80
$0 $/morceau

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