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RM5N700IP

RM5N700IP

RM5N700IP

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

RM5N700IP Fiche de données

non conforme

RM5N700IP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 700 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 950mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 460 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 49W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251
paquet / étui TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Numéro de pièce associé

NVH4L022N120M3S
NVH4L022N120M3S
$0 $/morceau
AOT430
P3M06120T3
STL31N65M5
STL31N65M5
$0 $/morceau
IXFN32N120
IXFN32N120
$0 $/morceau
STU3N62K3
STU3N62K3
$0 $/morceau
BUK9606-55A,118
HUF76137P3
IRL3705NPBF

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