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RM60N100DF

RM60N100DF

RM60N100DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 100V 60A 8DFN

non conforme

RM60N100DF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3500 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 105W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

SI8483DB-T2-E1
SI8483DB-T2-E1
$0 $/morceau
RSR025N05HZGTL
DI070P04PQ
DI070P04PQ
$0 $/morceau
P1H06300D8
IPN95R1K2P7ATMA1
STP14NK50Z
STP14NK50Z
$0 $/morceau
IRFB9N60APBF-BE3
IRLML0100TRPBF
IPB70P04P409ATMA1

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