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RM60N30DF

RM60N30DF

RM60N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 58A 8DFN

RM60N30DF Fiche de données

compliant

RM60N30DF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 58A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1844 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 46W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

IPP120N06S402AKSA2
AUIRFN7107TR
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
$0 $/morceau
FQI4P40TU
AOT286L
PJF6NA90_T0_00001
JDX5005
JDX5005
$0 $/morceau
STF40N65M2
STF40N65M2
$0 $/morceau

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