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RM80N60DF

RM80N60DF

RM80N60DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 80A 8DFN

RM80N60DF Fiche de données

compliant

RM80N60DF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4000 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 85W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

AOI442
STP6N62K3
STP6N62K3
$0 $/morceau
FDMS8680
FDMS8680
$0 $/morceau
H5N5011PL-E
STW18NM60N
STW18NM60N
$0 $/morceau
BUK7575-100A,127
BUK7575-100A,127
$0 $/morceau
C3M0025065J1
C3M0025065J1
$0 $/morceau
FQD20N06LETM
IXTT8P50
IXTT8P50
$0 $/morceau
SCTWA10N120
SCTWA10N120
$0 $/morceau

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