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2SK1160-E

2SK1160-E

2SK1160-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

2SK1160-E Fiche de données

compliant

2SK1160-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.83000 $2.83
500 $2.8017 $1400.85
1000 $2.7734 $2773.4
1500 $2.7451 $4117.65
2000 $2.7168 $5433.6
2500 $2.6885 $6721.25
816 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

IPT054N15N5ATMA1
UJ3C065080K3S
UJ3C065080K3S
$0 $/morceau
SI3483DDV-T1-BE3
DMTH4004LPS-13
DMN2710UW-13
SCTH70N120G2V-7
FMD47-06KC5
FMD47-06KC5
$0 $/morceau
2SK3480-AZ
G28N03D3
G28N03D3
$0 $/morceau

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