Welcome to ichome.com!

logo
Maison

2SK1835-E

2SK1835-E

2SK1835-E

MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P

2SK1835-E Fiche de données

compliant

2SK1835-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.50000 $7.5
30 $6.15000 $184.5
120 $5.55000 $666
510 $4.65000 $2371.5
1,020 $4.20000 -
2953 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 7Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1700 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

BUK7E4R0-80E,127
BUK7E4R0-80E,127
$0 $/morceau
STH240N10F7-6
STB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4
$0 $/morceau
DMN2028UFDF-7
STF33N60M6
STF33N60M6
$0 $/morceau
IXFP90N20X3
IXFP90N20X3
$0 $/morceau
MCH6331-TL-H
MCH6331-TL-H
$0 $/morceau
IPI200N25N3GAKSA1
SIJA22DP-T1-GE3
HUF75344A3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.