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2SK2008-E

2SK2008-E

2SK2008-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

2SK2008-E Fiche de données

compliant

2SK2008-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

IRL540S
IRL540S
$0 $/morceau
AOTF12N65A
SI4840DY-T1-E3
SI4840DY-T1-E3
$0 $/morceau
NTB125N02RT4
NTB125N02RT4
$0 $/morceau
IXFK120N25
IXFK120N25
$0 $/morceau
IXTP1N100
IXTP1N100
$0 $/morceau
IPI26CNE8N G
FDPF52N20T
FDPF52N20T
$0 $/morceau
IRLM110ATF
FQD13N10TF
FQD13N10TF
$0 $/morceau

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