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H5N2901LSTL-E

H5N2901LSTL-E

H5N2901LSTL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

H5N2901LSTL-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.44000 $2.44
500 $2.4156 $1207.8
1000 $2.3912 $2391.2
1500 $2.3668 $3550.2
2000 $2.3424 $4684.8
2500 $2.318 $5795
10000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

APTM50DAM19G
SIS184LDN-T1-GE3
SIR826DP-T1-RE3
NTTFS6H860NTAG
NTTFS6H860NTAG
$0 $/morceau
DMN3061SW-13
DMT6009LPS-13
DMG7401SFG-13
DMP6018LPS-13
DI080N06PQ-AQ

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