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H5N3011P80-E#T2

H5N3011P80-E#T2

H5N3011P80-E#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

H5N3011P80-E#T2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $12.62000 $12.62
500 $12.4938 $6246.9
1000 $12.3676 $12367.6
1500 $12.2414 $18362.1
2000 $12.1152 $24230.4
2500 $11.989 $29972.5
4770 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

SI4842BDY-T1-GE3
IPDD60R080G7XTMA1
NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G
$0 $/morceau
IPS105N03LG
APT10090BFLLG
PJL9436A_R2_00001
STD9NM40N
STD9NM40N
$0 $/morceau
RM3010
RM3010
$0 $/morceau
IRFI9540GPBF
IRFI9540GPBF
$0 $/morceau

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