Welcome to ichome.com!
| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 200 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
| rds activé (max) à id, vgs | 440mOhm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | - |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 13 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±30V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 450 pF @ 25 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 2.5W (Ta) |
| température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.