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HAT2201WP-EL-E

HAT2201WP-EL-E

HAT2201WP-EL-E

15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET

compliant

HAT2201WP-EL-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.17000 $1.17
500 $1.1583 $579.15
1000 $1.1466 $1146.6
1500 $1.1349 $1702.35
2000 $1.1232 $2246.4
2500 $1.1115 $2778.75
2500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 43mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1450 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-WPAK
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

NTMFS4C805NAT1G
NTMFS4C805NAT1G
$0 $/morceau
IXTY48P05T-TRL
IXTY48P05T-TRL
$0 $/morceau
STFU18N60M2
STFU18N60M2
$0 $/morceau
IXTY26P10T-TRL
IXTY26P10T-TRL
$0 $/morceau
DMNH6069SFVW-13
SQ3410EV-T1_BE3
FMD21-05QC
FMD21-05QC
$0 $/morceau
STK130N4LF7AG
BUK9Y1R9-40HX
BUK9Y1R9-40HX
$0 $/morceau
DMN6013LFGQ-7

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