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RJK03M5DNS-00#J5

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MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

compliant

RJK03M5DNS-00#J5 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.41300 -
5000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1890 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 15W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-HWSON (3.3x3.3)
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

SI4894BDY-T1-E3
BUK765R2-40B,118
IPD80R2K7C3AATMA1
FDPF3860T
FDPF3860T
$0 $/morceau
AOD450
STL26NM60N
STL26NM60N
$0 $/morceau
DMP3098LQ-7
DMP3098LQ-7
$0 $/morceau
IPA60R125CPXKSA1
RTR040N03HZGTL

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