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RJK6014DPP-E0#T2

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

non conforme

RJK6014DPP-E0#T2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.12000 $5.12
500 $5.0688 $2534.4
1000 $5.0176 $5017.6
1500 $4.9664 $7449.6
2000 $4.9152 $9830.4
2500 $4.864 $12160
5107 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 575mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220FP
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

NDF10N60ZH
NDF10N60ZH
$0 $/morceau
AOI2610E
IPI50R140CP
BSS138K-7
BSS138K-7
$0 $/morceau
DMT4003SCT
DMT4003SCT
$0 $/morceau
SQJ476EP-T1_BE3
SI5468DC-T1-GE3
IXTP20N65X2M
IXTP20N65X2M
$0 $/morceau
RFD8P06LE
SQJQ402E-T1_GE3

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