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RJM0603JSC-00#12

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RJM0603JSC-00#12

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

non conforme

RJM0603JSC-00#12 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 43nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2600pF @ 10V
puissance - max 54W
température de fonctionnement 175°C
type de montage Surface Mount
paquet / étui 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur 20-HSOP
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Numéro de pièce associé

FMP76-01T
FMP76-01T
$0 $/morceau
FS03MR12A6MA1B
MCH3360-TL-E
MCH3360-TL-E
$0 $/morceau
FDG6332C-PG
FDG6332C-PG
$0 $/morceau
GWM100-0085X1-SMD
GWM100-0085X1-SMD
$0 $/morceau
VEC2616-TL-H-Z-W
VEC2616-TL-H-Z-W
$0 $/morceau
APTC80DSK15T3G
APTM100A46FT1G
BUK9MFF-65PSS,518

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